MOSFET

폴리실리콘 게이트에서 게이트 전극 쪽 폴리실리콘이 공핍화되어 생기는 문제로 올바른 것은?

  1. A게이트의 저항이 0이 된다
  2. B트랜지스터가 발광한다
  3. C실효적인 게이트 절연막이 두꺼워진 것과 같아져 구동 전류가 저하된다
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정답: C. 실효적인 게이트 절연막이 두꺼워진 것과 같아져 구동 전류가 저하된다

폴리실리콘은 반도체이므로 게이트에 전압을 가하면 게이트 전극 쪽에도 두께 0.3~0.5 nm 정도의 공핍층이 생깁니다. 이것이 직렬 커패시턴스로 작용해 실효적인 절연막 두께가 늘어난 것과 같아져 구동 전류가 내려갑니다. 절연막이 1 nm대까지 얇아지면서 무시할 수 없는 비율이 되었습니다. 45 nm 세대 이후의 High-k/메탈 게이트(HKMG)에서는 금속 전극을 사용하므로 이 문제가 해소되었습니다.

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