MOSFET

장채널 MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 드레인 전류 ID는 대략 무엇에 비례하는가? (VGS: 게이트-소스 간 전압, Vth: 문턱 전압)

  1. A(VGS − Vth)의 제곱
  2. BVGS − Vth
  3. CVGS의 역수
정답과 해설 보기

정답: A. (VGS − Vth)의 제곱

장채널 MOSFET의 포화 영역에서는 ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)²이며, 드레인 전류는 (VGS − Vth)의 제곱에 비례합니다(제곱 법칙). VGS − Vth는 오버드라이브 전압이라 불리며 아날로그 설계의 기본 파라미터입니다. 단채널에서는 속도 포화로 인해 1제곱에 가까워지고, 이동도 열화나 기생 저항의 영향으로 더 어긋나기 때문에 실제 설계에서는 BSIM 등의 정밀한 모델을 사용합니다.

MOSFET의 드레인 전류와 드레인 전압의 관계 드레인-소스 간 전압 VDS 드레인 전류 ID ,,1 ,,4 ,,9 VGS − Vth = 3 V = 2 V = 1 V 선형 영역 포화 영역 포화 전류는 (VGS − Vth)²에 비례
MOSFET의 드레인 전류와 드레인 전압의 관계 · 도해에서 보기
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