식각

고종횡비 패턴의 플라즈마 식각에서 전자가 측벽에서 차단되어 패턴 상부에 음전하가 쌓이고, 양이온이 바닥에서 휘어 형상 이상이나 손상을 일으키는 현상은?

  1. A전자 셰이딩 효과
  2. B터널 효과
  3. C압전 효과
정답과 해설 보기

정답: A. 전자 셰이딩 효과

전자는 방향이 제각각으로 날아오기 때문에 좁은 패턴 깊숙이 들어가기 어렵고, 패턴 상부의 측벽에 음전하가 쌓입니다. 한편 이온은 전계로 수직 가속되어 바닥까지 닿아 바닥을 양으로 대전시킵니다. 이 전하의 쏠림으로 나중에 오는 이온이 감속·편향되어 바닥 식각의 지연, 노칭, 비틀림, 게이트 절연막 손상의 원인이 됩니다. 펄스 플라즈마로 음이온이나 전자를 보내 중화하는 방법 등으로 대책을 세웁니다.

  • A. 맞습니다. 전자가 차단되어 대전의 쏠림이 생기는 현상입니다.
  • B. 터널 효과는 입자가 장벽을 통과하는 양자역학적 현상입니다.
  • C. 압전 효과는 압전체의 힘과 전하의 관계입니다.
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

식각의 다른 문제

  1. 플라즈마에서 생성한 이온을 중성화한 뒤 웨이퍼에 쬐어, 대전이나 자외선에 의한 손상을 억제하며 가공하는 연구 단계의 식각 방법은?
  2. 플라즈마 식각 장치의 내벽이나 부품 표면에 산화이트륨(Y2O3) 등의 코팅이 사용되는 주된 이유는?
  3. 플라즈마 식각 장치에서 웨이퍼 외주를 둘러싸는 포커스 링의 주된 역할은?
  4. 이방성 식각에 대한 설명으로 올바른 것은?
  5. 식각에서 「선택비」에 대한 설명으로 올바른 것은?

이 분야의 비교