Dans une MTJ, différence de résistance entre l'état d'aimantation antiparallèle et l'état parallèle, divisée par la résistance à l'état parallèle. Plus il est élevé, plus il est facile de distinguer 0 et 1. Une barrière en MgO permet d'obtenir de grandes valeurs.
Nom japonais: TMR比
« Taux TMR » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Mémoires émergentes.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : A. La différence entre les résistances à aimantations antiparallèles et parallèles, divisée par la résistance à aimantations parallèles
Le taux TMR vaut (R antiparallèle − R parallèle)/R parallèle et exprime l'ampleur de la différence de résistance entre les deux états. Par exemple, avec R parallèle = 2 kΩ et R antiparallèle = 5 kΩ, le taux TMR est de 150 %. Plus il est élevé, plus 0 et 1 se distinguent facilement et plus la lecture peut être rapide. Des valeurs dépassant 600 % à température ambiante ont été rapportées avec une barrière MgO, mais les MRAM produites en volume se situent autour de 100 à 200 %, compromis avec la petite taille des éléments et la tenue thermique.
Le taux TMR vaut (R antiparallèle − R parallèle)/R parallèle et exprime l'ampleur de la différence de résistance entre les deux états.
Quelle est la définition du taux de magnétorésistance tunne…Avec une barrière tunnel en MgO cristallin, seuls les électrons de spin présentant une symétrie particulière traversent sélectivement par effet tunnel, ce qui donne un taux TMR élevé atteignant plusieurs centaines de % à température ambiante (quelques dizaines de % avec l'Al2O3 amorphe traditionnel).
Quel matériau est largement utilisé comme barrière tunnel d…Même avec un taux TMR de 100 à 200 %, l'écart de résistance n'est que de 2 à 3 fois, et la marge de lecture est plus faible que pour la DRAM ou la flash.
Comment les données d'une MRAM sont-elles lues ?Jonction tunnel magnétique (MTJ) MRAM 3D XPoint Calcul en mémoire (in-memory computing) Chalcogénure FeFET (transistor ferroélectrique) FeRAM (mémoire ferroélectrique) Formage (forming) Mémoire crosspoint PCM (mémoire à changement de phase)