Nederlands
Menu

Opkomende geheugentechnologieën

Welke uitspraak over de tunnelmagnetoweerstandsverhouding (TMR-verhouding) van een MTJ is juist?

  1. ADe verhouding die ontstaat door het weerstandsverschil tussen parallelle en antiparallelle magnetisatie te delen door de weerstand bij parallelle magnetisatie
  2. BDe verhouding tussen de dikte van de isolerende laag en de dikte van de magnetische lagen
  3. CDe maximale stroom die door de MTJ kan vloeien
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De verhouding die ontstaat door het weerstandsverschil tussen parallelle en antiparallelle magnetisatie te delen door de weerstand bij parallelle magnetisatie

De TMR-verhouding is (R_antiparallel − R_parallel)/R_parallel en geeft de grootte van het verschil tussen de weerstanden van de twee toestanden aan. Bij R_parallel = 2 kΩ en R_antiparallel = 5 kΩ is de TMR-verhouding bijvoorbeeld 150%. Hoe groter, hoe gemakkelijker 0 en 1 zijn te onderscheiden en hoe sneller het uitlezen kan. Met een MgO-barrière zijn bij kamertemperatuur waarden van meer dan 600% gerapporteerd, maar in MRAM voor massaproductie ligt de verhouding op circa 100 tot 200%, als afweging tegen kleine afmetingen en hittebestendigheid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welke uitspraak over de relatie tussen de weerstanden bij parallelle en antiparallelle magnetisatierichting van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?
  2. Welke uitspraak over de rollen van de twee magnetische lagen in een MTJ is juist?
  3. Welke uitspraak over de manier van verhitten bij het in de kristallijne toestand met lage weerstand brengen van een cel van faseveranderingsgeheugen (PCM, set) is juist?
  4. Hoe heet in de hysteresiscurve (polarisatie-veldkarakteristiek) van een ferro-elektricum de polarisatie die overblijft wanneer het elektrische veld weer tot nul wordt teruggebracht?
  5. Welke externe omstandigheid vereist bij het gebruik van MRAM aandacht?

Vergelijkingen bij dit onderwerp