Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Welke uitspraak over het verschil tussen EEPROM en flashgeheugen is juist?

  1. AEEPROM kan niet worden herschreven
  2. BEEPROM is vluchtig en flashgeheugen is niet-vluchtig
  3. CEEPROM kan per byte worden herschreven, terwijl flashgeheugen in grotere eenheden zoals blokken in één keer wordt gewist
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. EEPROM kan per byte worden herschreven, terwijl flashgeheugen in grotere eenheden zoals blokken in één keer wordt gewist

EEPROM is niet-vluchtig geheugen dat per byte kan worden gewist en herschreven. Omdat elke cel een selectietransistor heeft, is de cel groot en bedraagt de capaciteit enkele Kbit tot enkele Mbit. Het aantal herschrijvingen is met ca. 1 miljoen groot, en het is geschikt voor opslag van instelwaarden en kalibratiegegevens van apparaten. Flash is geheugen waarbij het wissen in één keer per blok gebeurt, waardoor de selectietransistor kan worden weggelaten, de cel kleiner is en de capaciteit groter.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke uitspraak over de statische ruismarge (SNM), die de stabiliteit van een SRAM-cel weergeeft, is juist?
  2. Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal keren dat NAND-flashgeheugen van het type SLC kan worden herschreven?
  3. Welke uitspraak over het “beheer van defecte blokken” van NAND-flash is juist?
  4. Welke uitspraak over “over-provisioning” van SSD’s is juist?
  5. Welke uitspraak over “write amplification” (schrijfversterking) van SSD’s is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp