Wat is Charge-trap-cel?
Flashgeheugencel die elektronen niet in een floating gate opslaat, maar in traps in een isolerende laag zoals siliciumnitride. Wordt vooral gebruikt in 3D NAND.
Japanse benaming: 電荷トラップ型セル
Vakgebied: SRAM en flashgeheugen
Flashgeheugencel die elektronen niet in een floating gate opslaat, maar in traps in een isolerende laag zoals siliciumnitride. Wordt vooral gebruikt in 3D NAND.
Japanse benaming: 電荷トラップ型セル
Vakgebied: SRAM en flashgeheugen
3D NAND 6T-SRAM-cel Floating gate Fowler-Nordheim-tunnelstroom (FN) Garbage collection NAND-flashgeheugen Niet-vluchtig geheugen NOR-flashgeheugen NVMe Read disturb