SRAM en flashgeheugen

Welke uitspraak over de statische ruismarge (SNM), die de stabiliteit van een SRAM-cel weergeeft, is juist?

  1. ADe grootte van de ruisspanning die de cel kan doorstaan zonder de bewaarde toestand om te keren, bepaald uit de vlindercurve
  2. BHet stroomverbruik van de cel
  3. CDe tijd die het lezen van de cel kost
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De grootte van de ruisspanning die de cel kan doorstaan zonder de bewaarde toestand om te keren, bepaald uit de vlindercurve

SNM wordt uitgedrukt als de zijde van het grootste vierkant dat binnen de vlindercurve past, gevormd door het over elkaar leggen van de ingangs-uitgangskarakteristieken van de twee inverters van de cel; hoe groter, hoe ruisbestendiger de cel. De SNM bij het lezen (lees-SNM), waarbij de toegangstransistor aanstaat, is kleiner dan die bij het bewaren (hold-SNM), en dit vormt de beperking voor de stabiliteit. Omdat ze kleiner wordt bij verlaging van de voedingsspanning of meer variaties, wordt ze gebruikt als maatstaf voor ontwerp bij lage spanning.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Welke waarde ligt het dichtst bij het aantal keren dat NAND-flashgeheugen van het type SLC kan worden herschreven?
  2. Welke uitspraak over het “beheer van defecte blokken” van NAND-flash is juist?
  3. Welke uitspraak over “over-provisioning” van SSD’s is juist?
  4. Welke uitspraak over “write amplification” (schrijfversterking) van SSD’s is juist?
  5. Wat is de basiseenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gelezen en geschreven (geprogrammeerd)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp