SRAM et mémoire flash
Quelle différence entre l'EEPROM et la mémoire flash est correcte ?
- AL'EEPROM n'est pas réinscriptible
- BL'EEPROM est volatile et la mémoire flash non volatile
- CL'EEPROM se réécrit par octet, alors que la mémoire flash s'efface en une fois par unités groupées comme le bloc
Afficher la réponse et l'explication
Réponse : C. L'EEPROM se réécrit par octet, alors que la mémoire flash s'efface en une fois par unités groupées comme le bloc
L'EEPROM est une mémoire non volatile effaçable et réinscriptible par octet ; chaque cellule étant dotée d'un transistor de sélection, les cellules sont grandes et la capacité d'environ quelques Kbit à quelques Mbit. Son endurance, d'environ un million de cycles, est élevée, et elle convient au stockage des paramètres et données d'étalonnage des équipements. La flash efface en une fois par bloc, ce qui supprime les transistors de sélection, réduit la taille des cellules et permet les grandes capacités.