SRAM und Flash-Speicher

Welche Aussage zum Unterschied zwischen EEPROM und Flash-Speicher ist richtig?

  1. AEin EEPROM lässt sich nicht überschreiben
  2. BEin EEPROM ist flüchtig, Flash-Speicher ist nichtflüchtig
  3. CEin EEPROM kann byteweise überschrieben werden, Flash-Speicher löscht dagegen in Einheiten wie Blöcken gemeinsam
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Antwort: C. Ein EEPROM kann byteweise überschrieben werden, Flash-Speicher löscht dagegen in Einheiten wie Blöcken gemeinsam

Ein EEPROM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der byteweise gelöscht und überschrieben werden kann; da jede Zelle einen Select-Transistor hat, sind die Zellen groß und die Kapazität liegt bei einigen Kbit bis einigen Mbit. Die Zahl der Schreibzyklen ist mit etwa 1 Million hoch, und er eignet sich zur Speicherung von Geräteeinstellungen und Kalibrierdaten. Flash löscht blockweise gemeinsam, spart dadurch die Select-Transistoren und erreicht kleinere Zellen und größere Kapazitäten.

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