Nederlands
Menu

SRAM en flashgeheugen

Welke uitspraak over “write amplification” (schrijfversterking) van SSD’s is juist?

  1. ADe schrijfsnelheid wordt 2 keer zo hoog
  2. BDe schrijfspanning wordt hoger dan normaal
  3. CDe hoeveelheid gegevens die werkelijk naar het flashgeheugen wordt geschreven is groter dan de hoeveelheid die de host heeft geschreven
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De hoeveelheid gegevens die werkelijk naar het flashgeheugen wordt geschreven is groter dan de hoeveelheid die de host heeft geschreven

Omdat flash niet kan worden overschreven en wissen per blok gebeurt, ontstaan extra schrijfbewerkingen, zoals het kopiëren van geldige gegevens naar een ander blok bij garbage collection, waardoor de werkelijke schrijfhoeveelheid groter is dan de schrijfhoeveelheid van de host. Deze verhouding is de schrijfversterkingsfactor (WAF), die bij veel willekeurige kleine schrijfbewerkingen enkele malen kan bedragen. Ze wordt verkleind met TRIM, extra ruimte en gegevenscompressie om levensduur en prestaties te beschermen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over SRAM en flashgeheugen

  1. Wat is de basiseenheid waarin gegevens in NAND-flashgeheugen worden gelezen en geschreven (geprogrammeerd)?
  2. Welke interfacestandaard op basis van PCI Express wordt veel gebruikt voor de verbinding tussen snelle SSD’s en de host?
  3. Welke uitspraak over de “data-retentiespanning” die de ondergrens bepaalt wanneer in SRAM tijdens standby de voedingsspanning wordt verlaagd om de lekstroom te verminderen, is juist?
  4. Welk ontwerp is juist om bij een 6T-SRAM-cel te voorkomen dat de inhoud van de cel bij het lezen omslaat (leesverstoring)?
  5. Welk voorbeeld van “schrijfondersteuning” (write assist) om schrijffouten van SRAM bij lage spanning te voorkomen is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp