Welk materiaal wordt gewoonlijk gebruikt voor de laag die de lading opslaat in de ladingvangende (charge trap) cellen die veel in 3D-NAND worden gebruikt?

Antwoord: B. Siliciumnitridelaag (SiN)

Bij ladingvangende cellen worden elektronen niet in een geleidende floating gate maar in vangniveaus (traps) in een isolerende siliciumnitridelaag opgeslagen. Omdat de lading in de laag gelokaliseerd is en niet beweegt, lekt niet alle lading weg, ook niet als een deel van de isolerende laag een defect heeft, en is de interferentie met naburige cellen klein. Een gelaagde structuur van SiO2/SiN/SiO2 (ONO) kan continu op de wand van de gaten worden afgezet, wat een structuur is die goed past bij verticaal gestapeld 3D-NAND.