Oxidation und Diffusion

Welche Definition der „Übergangstiefe“ eines PN-Übergangs ist im Allgemeinen richtig?

  1. ADie Tiefe von der Oberfläche bis zu der Stelle, an der die Störstellenkonzentration maximal ist
  2. BDie Tiefe, in der die Konzentration der eindiffundierten Störstellen gleich der ursprünglichen Störstellenkonzentration des Substrats ist
  3. CDie Tiefe der Hälfte der Waferdicke
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. Die Tiefe, in der die Konzentration der eindiffundierten Störstellen gleich der ursprünglichen Störstellenkonzentration des Substrats ist

Die Konzentration der von der Oberfläche eingebrachten Störstellen sinkt mit der Tiefe und ist in einer bestimmten Tiefe gleich der Konzentration der bereits im Substrat vorhandenen Störstellen des entgegengesetzten Leitungstyps. In dieser Tiefe wird die Netto-Störstellenkonzentration 0, und der Leitungstyp wechselt; sie wird daher Übergangstiefe genannt. Bei Source/Drain-Extensions feiner Transistoren sind flache Übergänge von etwa 10 bis 20 nm gefordert, was für die Unterdrückung von Kurzkanaleffekten wichtig ist.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Oxidation und Diffusion

  1. Wie heißt das Phänomen, dass die Diffusion von Bor und Phosphor während der Oxidation von Silizium schneller ist als ohne Oxidation?
  2. Was ist als Abweichung vom Deal-Grove-Modell bekannt, wenn bei Trockenoxidation dünne Oxidfilme von höchstens einigen zehn nm Dicke erzeugt werden?
  3. Wie heißt bei LOCOS das Phänomen, dass auf der Siliziumoberfläche unter der Nitridmaske dünnes Nitrid entsteht und das spätere Gateoxid lokal dünn oder fehlerhaft wird?
  4. Was ist der Hauptgrund dafür, dass die Druckspannung im durch thermische Oxidation gebildeten Oxidfilm bei Oxidation bei hohen Temperaturen von etwa 950 °C oder mehr kleiner wird?
  5. Aus welchem Grund kann ein SiO2-Film als Maske gegen die Diffusion von Bor und Phosphor dienen, wirkt gegenüber Gallium und Aluminium aber kaum als Maske?