산화와 확산

LOCOS 등의 소자 분리에 사용된 필드 산화막과 MOSFET의 게이트 산화막의 두께 관계로 일반적으로 올바른 것은?

  1. A게이트 산화막이 훨씬 두껍다
  2. B둘은 같은 두께이다
  3. C필드 산화막이 훨씬 두껍다
정답과 해설 보기

정답: C. 필드 산화막이 훨씬 두껍다

필드 산화막은 그 위를 지나는 배선과 실리콘 사이에서 기생 트랜지스터가 켜지지 않도록 수백 nm 정도로 두껍게 만듭니다. 두꺼울수록 기생 트랜지스터의 문턱 전압이 높아지기 때문입니다. 한편 게이트 산화막은 게이트의 전계를 채널에 강하게 전달하기 위해 수 nm 정도로 매우 얇아, 100배 이상의 차이가 납니다. 같은 칩에서 입출력용으로 더 두꺼운 게이트 산화막을 구분해 사용하기도 합니다.

  • A. 게이트 산화막은 전계를 강하게 전달하기 위해 얇게 만듭니다.
  • B. 역할이 다르므로 두께는 크게 다릅니다.
  • C. 올바릅니다. 소자 분리용 산화막은 훨씬 두껍게 만듭니다.
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

산화와 확산의 다른 문제

  1. PN 접합의 '접합 깊이'의 정의로 일반적으로 올바른 것은?
  2. 실리콘을 산화하는 동안 붕소나 인의 확산이 산화하지 않을 때보다 빨라지는 현상을 무엇이라고 합니까?
  3. 건식 산화로 두께 수십 nm 이하의 얇은 산화막을 만들 때 Deal-Grove 모델에서 벗어나는 것으로 알려진 점은?
  4. LOCOS에서 질화막 마스크 아래 실리콘 표면에 얇은 질화물이 생겨, 이후의 게이트 산화막이 국소적으로 얇아지거나 불량이 되는 현상을 무엇이라고 합니까?
  5. 열산화로 생긴 산화막의 압축 응력이 대략 950℃ 이상의 고온 산화에서는 작아지는 주된 이유는?