Français
Menu

Oxydation et diffusion

Pourquoi l’oxyde thermique peut-il servir de masque contre les dopants lors d’une diffusion ?

  1. AParce que de nombreux dopants comme le bore ou le phosphore diffusent plus difficilement dans SiO2 que dans le silicium
  2. BParce que SiO2 conduit bien l’électricité
  3. CParce que SiO2 ne laisse pas passer la lumière
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Parce que de nombreux dopants comme le bore ou le phosphore diffusent plus difficilement dans SiO2 que dans le silicium

Les principaux dopants (bore, phosphore, arsenic) diffusent dans SiO2 plusieurs ordres de grandeur plus lentement que dans le silicium ; un oxyde suffisamment épais (quelques centaines de nm) empêche donc leur pénétration dans le silicium sous-jacent. Exploitant cette propriété, la technologie planar, qui n’introduit les dopants que dans les fenêtres ouvertes dans l’oxyde, a été établie en 1959 chez Fairchild et a conduit à la naissance du circuit intégré. En implantation ionique actuelle, le masque est principalement la résine.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Oxydation et diffusion

  1. Comment s’appelle le traitement thermique sous atmosphère hydrogénée effectué pour réduire les états d’interface Si/SiO2 ?
  2. Quel est le but principal de l’ajout d’une petite quantité de gaz chloré, comme le chlorure d’hydrogène (HCl), lors de l’oxydation thermique ?
  3. Lors de l’oxydation thermique d’un silicium contenant du bore, quelle tendance suit la concentration de bore côté silicium près de l’interface ?
  4. Comment s’appelle le traitement thermique qui chauffe les plaquettes une par une à haute température, par exemple avec des lampes, pendant quelques secondes seulement ?
  5. Quelle valeur est la plus proche de la permittivité relative d’un film de SiO2 formé par oxydation thermique ?

Comparatifs sur ce thème