Nederlands
Menu

MOSFET

Welke voorwaarde is juist om een n-kanaal MOSFET van het enhancement-type aan (geleidend) te laten staan? (VGS: gate-sourcespanning, Vth: drempelspanning)

  1. AVGS is 0 V
  2. BVGS is groter dan Vth
  3. CVGS is een negatieve spanning
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. VGS is groter dan Vth

Bij een enhancement-nMOSFET worden, wanneer een positieve spanning groter dan Vth op de gate wordt gezet, elektronen naar het oppervlak van het p-type substraat getrokken en ontstaat een inversielaag (kanaal), zodat stroom tussen source en drain loopt. Bij VGS = 0 V is er geen kanaal en is de transistor uit, dus ook bij een zwevende gate loopt nauwelijks stroom (normally-off), wat veilig is voor logische schakelingen en vermogenstoepassingen. Vth is in geavanceerde logica gewoonlijk 0,2 tot 0,4 V en bij vermogenscomponenten ongeveer 1 tot 4 V.

Doorsnede van een n-kanaals MOSFET (ingeschakeld) p-type substraat Source n⁺ Drain n⁺ Gate VGS > Vth Elektroneninversielaag (kanaal) Gatediëlektricum
Doorsnede van een n-kanaals MOSFET (ingeschakeld) · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Wat gebeurt er met de gatecapaciteit per oppervlakte-eenheid als alleen de dikte van de gate-isolator wordt verkleind, terwijl materiaal en oppervlak gelijk blijven?
  2. Wat is de juiste reden dat het statische (stationaire) vermogensverbruik van een CMOS-inverter laag is?
  3. Waaraan is de drainstroom ID ongeveer evenredig wanneer een lang-kanaal MOSFET in het verzadigingsgebied werkt? (VGS: gate-sourcespanning, Vth: drempelspanning)
  4. Bij gelijke afmetingen heeft een nMOS doorgaans een grotere aandrijfstroom dan een pMOS. Wat is de belangrijkste reden?
  5. Wat gebeurt er met de drempelspanning van een n-kanaal MOSFET wanneer het substraat (body) een negatieve spanning ten opzichte van de source krijgt (substraatvoorspanning)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp