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MOSFET

Lorsqu’un MOSFET à canal long fonctionne en régime de saturation, à quoi le courant de drain ID est-il approximativement proportionnel ? (VGS : tension grille-source, Vth : tension de seuil)

  1. AAu carré de (VGS − Vth)
  2. BÀ VGS − Vth
  3. CÀ l’inverse de VGS
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Réponse : A. Au carré de (VGS − Vth)

En régime de saturation d’un MOSFET à canal long, ID = (1/2)μCox(W/L)(VGS − Vth)² : le courant de drain est proportionnel au carré de (VGS − Vth) (loi quadratique). VGS − Vth est appelée tension d’overdrive et constitue un paramètre fondamental de la conception analogique. En canal court, la saturation de vitesse rapproche la dépendance d’une loi linéaire, et la dégradation de mobilité ainsi que les résistances parasites entraînent d’autres écarts ; la conception réelle utilise donc des modèles précis comme BSIM.

Courant de drain en fonction de la tension de drain d'un MOSFET Tension drain-source VDS Courant de drain ID ,,1 ,,4 ,,9 VGS − Vth = 3 V = 2 V = 1 V Régime linéaire Régime de saturation Le courant de saturation est proportionnel à (VGS − Vth)²
Courant de drain en fonction de la tension de drain d'un MOSFET · Voir dans les schémas
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