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Lithographie

Quelle est la méthode correcte de production de la lumière à 13,5 nm dans la source d'un équipement de lithographie EUV ?

  1. ADécharge d'une lampe à mercure
  2. BConversion de longueur d'onde de la lumière d'un laser excimère ArF
  3. CIrradiation de microgouttelettes d'étain par un laser puissant pour former un plasma
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Réponse : C. Irradiation de microgouttelettes d'étain par un laser puissant pour former un plasma

Dans la source EUV, environ 50 000 gouttelettes d'étain d'environ 30 µm de diamètre par seconde sont d'abord aplaties par un laser faible, puis portées par un laser CO2 de forte puissance à l'état de plasma à plusieurs centaines de milliers de degrés, dont la lumière à 13,5 nm est collectée par un miroir multicouche (méthode LPP). L'obtention stable d'une puissance de 250 W ou plus a été décisive pour la mise en production. L'encrassement du miroir collecteur par l'étain projeté est évité grâce à de l'hydrogène gazeux.

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