마스크 가장자리 부근에 이온 주입했을 때, 불순물이 마스크 아래까지 횡방향으로 퍼져 들어가는 원인으로 올바른 것은 무엇인가?

정답: C. 주입된 이온이 원자와의 충돌로 횡방향으로도 산란하기(횡방향 퍼짐을 가지기) 때문에

주입된 이온은 원자와 충돌을 반복하며 멈추기 때문에 깊이 방향뿐 아니라 횡방향으로도 퍼지며, 그 표준편차는 깊이 방향의 ΔRp와 같은 정도(수 nm~수십 nm)입니다. 그래서 마스크 가장자리 아래에도 불순물이 들어가, 게이트와 소스·드레인의 겹침(오버랩)이나 유효 채널 길이에 영향을 줍니다. 미세 트랜지스터에서는 이 횡방향 퍼짐도 시뮬레이션으로 감안하여 설계합니다.

• A. 웨이퍼의 회전이 원인이 아닙니다.
• B. 마스크가 녹는 것이 원인이 아닙니다.
• C. 올바릅니다. 충돌에 의한 횡방향 산란으로 퍼집니다.