Wie heißt beim Gate-Ätzen das Phänomen, bei dem die Strukturflanken nahe der Grenze zur darunterliegenden Isolierschicht seitlich ausgehöhlt werden?

Antwort: B. Notching

Notching ist ein Phänomen, bei dem sich nach Erreichen der darunterliegenden Isolierschicht positive Ionenladung auf deren Oberfläche ansammelt, die Bahnen nachfolgender Ionen seitlich abgelenkt werden und der Fuß der Struktur seitlich ausgehöhlt wird. Es tritt besonders leicht an den Strukturenden auf, die Gatelänge ändert sich lokal, und die Transistoreigenschaften streuen. Gegenmaßnahmen sind die Unterdrückung der Aufladung durch Pulsplasma oder niederfrequente Vorspannung sowie angepasste Überätzbedingungen.