Ätzen

Welcher Mechanismus ist einer der Gründe, warum beim Trockenätzen Anisotropie erreicht wird?

  1. AEin an den Seitenwänden abgeschiedener Schutzfilm verhindert seitliches Ätzen, während er am Boden durch den Ionenbeschuss entfernt wird und das Ätzen fortschreitet
  2. BNur die Seitenwände lösen sich schnell auf
  3. CDie Chemikalie reagiert gleichmäßig in alle Richtungen
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: A. Ein an den Seitenwänden abgeschiedener Schutzfilm verhindert seitliches Ätzen, während er am Boden durch den Ionenbeschuss entfernt wird und das Ätzen fortschreitet

Beim Trockenätzen lagern sich von Gasen wie Fluorkohlenstoffen oder von Reaktionsprodukten stammende Polymere an den Seitenwänden ab und verhindern seitliches Ätzen. Am Boden dagegen treffen die Ionen senkrecht auf, entfernen den Schutzfilm, und das Ätzen schreitet voran. Bei zu viel Schutzfilm verjüngt sich das Loch (Tapering), bei zu wenig weitet es sich seitlich (Bowing); durch Gaszusammensetzung und Temperatur wird ein Gleichgewicht eingestellt, um vertikale Profile zu erzeugen.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Ätzen

  1. Welche Chemikalie wird beim Nassätzen von Siliziumnitrid allgemein verwendet?
  2. Wie heißt das Phänomen, bei dem beim Plasmaätzen ein als Antenne wirkender Leiter wie eine lange Leitbahn Ladung sammelt und das angeschlossene Gateoxid schädigt?
  3. Welche Aussage zum Nassätzen von Silizium mit wässriger Kaliumhydroxidlösung (KOH) ist richtig?
  4. Welche Aussage zu Ätzanlagen mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP) ist richtig?
  5. Welche Kenngröße gibt an, wie gering die Streuung der Ätzrate über den Wafer ist?

Vergleiche zu diesem Thema