차세대 메모리

은이나 구리 등의 금속 이온이 고체 전해질 속을 이동하여 전도 경로를 만들거나 끊음으로써 저항을 바꾸는 메모리는 무엇입니까?

  1. ACBRAM(전도성 브리지 메모리)
  2. BFeRAM
  3. CSTT-MRAM
정답과 해설 보기

정답: A. CBRAM(전도성 브리지 메모리)

CBRAM은 은이나 구리 등 활성 금속 전극에서 금속 이온이 고체 전해질층으로 녹아 나와, 전압에 의해 반대쪽 전극으로 이동하여 금속 전도 브리지를 만들거나, 반대 전압으로 녹여 끊어서 저저항과 고저항을 전환합니다. 동작 전압이 낮고 쓰기 에너지도 작은 것이 특징입니다. 산소 결손을 이용하는 산화물형과 함께 ReRAM의 일종으로 여겨지며, 저소비 전력 내장 메모리로 제품화되어 있습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

차세대 메모리의 다른 문제

  1. ReRAM의 동작 방식에서 '바이폴라형'과 '유니폴라형'의 차이로 올바른 것은 무엇입니까?
  2. 크로스포인트형 PCM 등에서 기억 소자와 직렬로 두는 셀렉터로 사용되는, 어떤 전압을 넘으면 갑자기 도통하는 칼코게나이드 재료 소자는 무엇입니까?
  3. STT-MRAM에서 읽기 전류의 크기에 제한이 필요한 이유로 올바른 것은 무엇입니까?
  4. 강유전체의 분극 방향에 따라 얇은 강유전체층을 통과하는 터널 전류의 크기가 달라지는 것을 이용하는 소자는 무엇입니까?
  5. MRAM의 쓰기 에너지를 낮추는 방법으로 연구되고 있는, 전압으로 자성층의 자기 이방성을 바꾸는 효과는 무엇입니까?

이 분야의 비교