Opkomende geheugentechnologieën
Welk element maakt gebruik van het feit dat de tunnelstroom door een dunne ferro-elektrische laag verandert met de polarisatierichting van het ferro-elektricum?
- AFTJ (ferro-elektrische tunneljunctie)
- BMTJ (magnetische tunneljunctie)
- CMIM-condensator
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. FTJ (ferro-elektrische tunneljunctie)
Een FTJ (Ferroelectric Tunnel Junction) is een element waarbij een zeer dunne ferro-elektrische laag van enkele nm tussen elektroden zit, en waarvan de tunnelweerstand verandert doordat de hoogte en vorm van de barrière met de polarisatierichting veranderen. Anders dan FeRAM van het condensatortype kan het als weerstand worden uitgelezen zonder de polarisatie om te keren, zodat niet-destructief uitlezen mogelijk is, met kleine stromen en laag vermogen. Het onderzoek vordert door de komst van ferro-elektrica op HfO2-basis, en FTJ wordt ook verwacht als analoog rekenelement voor AI.