Opkomende geheugentechnologieën

Welk element maakt gebruik van het feit dat de tunnelstroom door een dunne ferro-elektrische laag verandert met de polarisatierichting van het ferro-elektricum?

  1. AFTJ (ferro-elektrische tunneljunctie)
  2. BMTJ (magnetische tunneljunctie)
  3. CMIM-condensator
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. FTJ (ferro-elektrische tunneljunctie)

Een FTJ (Ferroelectric Tunnel Junction) is een element waarbij een zeer dunne ferro-elektrische laag van enkele nm tussen elektroden zit, en waarvan de tunnelweerstand verandert doordat de hoogte en vorm van de barrière met de polarisatierichting veranderen. Anders dan FeRAM van het condensatortype kan het als weerstand worden uitgelezen zonder de polarisatie om te keren, zodat niet-destructief uitlezen mogelijk is, met kleine stromen en laag vermogen. Het onderzoek vordert door de komst van ferro-elektrica op HfO2-basis, en FTJ wordt ook verwacht als analoog rekenelement voor AI.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Opkomende geheugentechnologieën

  1. Welk effect, waarbij de magnetische anisotropie van een magnetische laag met een spanning wordt veranderd, wordt onderzocht als methode om de schrijfenergie van MRAM te verlagen?
  2. Welke uitspraak over het opslagprincipe van MRAM is juist?
  3. Welke uitspraak over het opslagprincipe van faseveranderingsgeheugen (PCM) is juist?
  4. Welke eigenschap gebruikt FeRAM (ferro-elektrisch geheugen) om informatie op te slaan?
  5. Welke uitspraak over het opslagprincipe van ReRAM (resistief geheugen) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp