Neue Speichertechnologien

Welcher Speicher ändert den Widerstand, indem Metallionen wie Silber oder Kupfer durch einen Festelektrolyten wandern und leitfähige Pfade bilden oder trennen?

  1. ACBRAM (Conductive-Bridge-Speicher)
  2. BFeRAM
  3. CSTT-MRAM
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Antwort: A. CBRAM (Conductive-Bridge-Speicher)

Bei CBRAM lösen sich Metallionen aus einer aktiven Metallelektrode wie Silber oder Kupfer in die Festelektrolytschicht, wandern durch die Spannung zur Gegenelektrode und bilden eine leitfähige Metallbrücke oder lösen sie bei umgekehrter Spannung wieder auf, wodurch zwischen niedrigem und hohem Widerstand umgeschaltet wird. Typisch sind niedrige Betriebsspannung und geringe Schreibenergie. Er gilt als Art von ReRAM neben dem Oxidtyp mit Sauerstoffleerstellen und ist als stromsparender eingebetteter Speicher auf dem Markt.

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