Welke uitspraak over het uitlezen van FeRAM van het condensatortype is juist?

Antwoord: C. Er wordt uitgelezen aan de hand van het al dan niet omklappen van de polarisatie; het uitlezen is dus destructief en na het lezen moet opnieuw worden geschreven

Bij FeRAM van het condensatortype wordt een spanning op de cel gezet en wordt aan de hand van de hoeveelheid lading die naar de bitlijn stroomt bepaald of de polarisatie omklapt. Bij omklappen gaan de oorspronkelijke gegevens verloren en moeten ze na het lezen worden teruggeschreven, zodat het uitlezen destructief is zoals bij DRAM. Bij elke leesbewerking treedt dus polarisatieomkering op en het lezen telt mee als herschrijfcyclus. Doordat niet lading maar polarisatie de informatie opslaat, blijven de gegevens niet-vluchtig behouden.