Opkomende geheugentechnologieën
Welke uitspraak over de kenmerken van SOT-MRAM is juist?
- AEr wordt geschreven door bestraling met licht
- BDe informatie wordt opgeslagen in de lading van een condensator
- CDe magnetisatie wordt omgekeerd door spin-orbit torque van een stroom door een zware-metaallaag, waarbij het schrijf- en het leespad gescheiden kunnen zijn
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. De magnetisatie wordt omgekeerd door spin-orbit torque van een stroom door een zware-metaallaag, waarbij het schrijf- en het leespad gescheiden kunnen zijn
Bij SOT-MRAM wordt een stroom door een zware-metaallaag onder de MTJ gestuurd, bijvoorbeeld wolfraam of platina. Het spin-orbit torque dat door het spin-Hall-effect ontstaat, keert de magnetisatie van de opslaglaag om. Omdat de schrijfstroom niet door de tunnelbarrière loopt, degradeert de barrière minder snel, kunnen schrijf- en leespad gescheiden zijn en is snel schrijven in minder dan 1 ns mogelijk. Daar staat tegenover dat de cel drie aansluitingen heeft en groter wordt, waardoor toepassing als cachegeheugen, dicht bij SRAM, wordt verwacht.