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Mémoires émergentes

Quel matériau est largement utilisé comme barrière tunnel dans la jonction tunnel magnétique (MTJ) de la MRAM et permet d'obtenir un fort taux de magnétorésistance tunnel ?

  1. AL'oxyde de magnésium (MgO)
  2. BLe cuivre
  3. CLe silicium polycristallin
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Réponse : A. L'oxyde de magnésium (MgO)

Avec une barrière tunnel en MgO cristallin, seuls les électrons de spin présentant une symétrie particulière traversent sélectivement par effet tunnel, ce qui donne un taux TMR élevé atteignant plusieurs centaines de % à température ambiante (quelques dizaines de % avec l'Al2O3 amorphe traditionnel). Cette technologie, annoncée en 2004 séparément par l'AIST au Japon et par IBM, a accru l'écart de résistance entre 0 et 1, permis l'augmentation de capacité des têtes de lecture de HDD et conduit à la mise en pratique de la MRAM.

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