Welk ferro-elektrisch materiaal dat goed met het CMOS-proces samengaat, krijgt de laatste jaren aandacht als materiaal voor FeRAM en ferro-elektrische transistoren (FeFET)?

Antwoord: A. Materialen op basis van hafniumoxide (HfO2)

Hafniumoxide wordt in CMOS al lang gebruikt als high-k-gate-isolator. Rond 2011 werd gerapporteerd dat het, na toevoeging van Si of Zr in een specifieke kristalfase (orthorhombisch), zelfs bij een dikte van circa 10 nm ferro-elektrisch gedrag vertoont. Het traditionele PZT bevat lood en verliest bij dunner worden zijn eigenschappen, waardoor integratie met CMOS lastig is. HfO2-materialen kunnen daarentegen met ALD dun en uniform worden afgezet, en men verwacht dat FeRAM en FeFET daarmee naast geavanceerde logica kunnen worden geïntegreerd.