Quel matériau ferroélectrique compatible avec les procédés CMOS suscite récemment l'intérêt pour la FeRAM et les transistors ferroélectriques (FeFET) ?

Réponse : A. Les matériaux à base d'oxyde d'hafnium (HfO2)

L'oxyde d'hafnium, utilisé en CMOS comme diélectrique de grille high-k, s'est révélé vers 2011 ferroélectrique même à une épaisseur d'environ 10 nm lorsqu'il est dopé au Si ou au Zr et amené dans une phase cristalline particulière (orthorhombique). Alors que le PZT traditionnel contient du plomb, voit ses propriétés se dégrader en couche mince et s'intègre difficilement au CMOS, les matériaux à base de HfO2 peuvent être déposés de façon mince et uniforme par ALD, ce qui laisse espérer l'intégration de FeRAM et de FeFET avec la logique avancée.