차세대 메모리
ReRAM(저항 변화 메모리)의 기억 원리로 올바른 것은 무엇입니까?
- A자성층의 자화 방향의 차이
- B금속 산화물 등에 전압을 인가하여 고저항 상태와 저저항 상태를 전환한다
- C커패시터에 저장된 전하의 유무
정답과 해설 보기
정답: B. 금속 산화물 등에 전압을 인가하여 고저항 상태와 저저항 상태를 전환한다
ReRAM은 금속 산화물 등의 박막을 전극 사이에 끼운 단순한 구조로, 전압을 인가하면 막 속의 산소 결손이 모인 전도성 필라멘트가 생기거나 끊어져 저항이 10배 이상 변합니다. 소자가 작고 배선 공정에서 만들 수 있어 로직에 혼재하거나 크로스포인트 구조로 고밀도화하는 데 적합합니다. 마이컴의 내장 메모리로 실용화되어 있으며, 저항 편차가 크다는 점이 과제입니다.