Laagafzetting (CVD, PVD)

Welke richtwaarde voor de dikte van dunne lagen in de halfgeleiderproductie is het meest passend?

  1. AEnkele nm tot enkele µm
  2. BEnkele mm tot enkele cm
  3. CEnkele m
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Enkele nm tot enkele µm

De lagen die bij de productie van LSI worden afgezet, variëren van enkele nm (tientallen atomen), zoals gate-isolatielagen, tot enkele honderden nm tot enkele µm, zoals bedrading en tussenlaag-diëlektrica. 1 nm is 10⁻⁹ m en 1 µm is 10⁻⁶ m; vergeleken met de dikte van een haar (circa 80 µm) zijn het ordes dunner. De dunste lagen zijn enkele atoomlagen dik en vragen bij ALD en dergelijke een nauwkeurigheid van circa ±0,1 nm.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Wat is de juiste basismanier van opbouw in het productieproces van LSI?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat veel depositieprocessen in een vacuümapparaat plaatsvinden?
  3. Welke depositiemethode is vooral gebruikt om aluminiumbedradingslagen te maken?
  4. Wat is de juiste betekenis van de sputteropbrengst (sputter yield) bij sputteren?
  5. Welke eigenschap van door plasma-CVD afgezette siliciumnitridelagen is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp