CMP und Reinigung

Welches Verfahren wird allgemein zum Zählen der Partikel auf der Waferoberfläche nach der Reinigung verwendet?

  1. ADen Wafer wiegen
  2. BDie Waferoberfläche mit Laserlicht abtasten und das von Partikeln gestreute Licht detektieren
  3. CDen Wafer brechen und den Querschnitt betrachten
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Antwort: B. Die Waferoberfläche mit Laserlicht abtasten und das von Partikeln gestreute Licht detektieren

Partikelinspektionsanlagen (Oberflächeninspektionsanlagen) tasten den rotierenden Wafer mit Laserlicht ab, detektieren das von Partikeln und Defekten gestreute Licht und bestimmen daraus Position und Größe (als auf Standardpartikel umgerechnete Streuintensität). Neueste Anlagen erkennen auch Partikel unter 20 nm. Sie dienen an unstrukturierten Wafern zur Bewertung von Reinigung und Anlagensauberkeit, während für die Defektinspektion strukturierter Wafer andere Anlagen mit Bildvergleich eingesetzt werden.

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