CMP und Reinigung

Welche Methode wird zur Endpunkterkennung beim CMP verwendet?

  1. ADen Wafer nach dem Polieren wiegen
  2. BÄnderungen der Reibung beim Polieren (z. B. des Motordrehmoments) oder der Lichtreflexion überwachen
  3. CDie Farbe des Slurrys visuell prüfen
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Antwort: B. Änderungen der Reibung beim Polieren (z. B. des Motordrehmoments) oder der Lichtreflexion überwachen

Ist der zu polierende Film abgetragen und die Unterlage liegt frei, ändern sich aufgrund des unterschiedlichen Materials die Reibung und der Lichtreflexionsgrad der Oberfläche. CMP-Anlagen erkennen den Polierendpunkt in Echtzeit, indem sie das Drehmoment (den Strom) des Motors des Poliertellers oder das Reflexionsspektrum von Licht überwachen, das durch ein Fenster im Teller auf den Wafer gerichtet wird. Optisch lässt sich auch die verbleibende Schichtdicke abschätzen, und auch die Messung der Metallschichtdicke mit Wirbelstromsensoren wird eingesetzt.

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