이온 주입

얕은 p형 층을 만들기 위해 붕소 단독이 아니라 BF2⁺ 이온을 주입하는 경우가 있는 이유는 무엇인가?

  1. ABF2⁺가 n형 불순물로 작동하기 때문에
  2. BBF2⁺ 쪽이 장치를 저렴하게 만들 수 있기 때문에
  3. C분자 이온이라 무겁기 때문에, 같은 가속 에너지에서도 붕소가 얕게 들어가기 때문에
정답과 해설 보기

정답: C. 분자 이온이라 무겁기 때문에, 같은 가속 에너지에서도 붕소가 얕게 들어가기 때문에

붕소는 질량 11로 가벼워 낮은 에너지에서도 깊이 들어가기 쉬운 불순물입니다. BF2⁺(질량 49)로 주입하면 충돌로 분자가 깨졌을 때 전체 에너지 중 붕소 원자에는 11/49(약 22 %)만 분배되므로 얕게 주입할 수 있습니다. 극히 낮은 에너지의 빔은 공간 전하로 퍼져 전류를 얻기 어렵기 때문에 이 방법이 사용되어 왔습니다. 불소가 비정질화를 돕는 한편, 기포 등의 부작용도 있습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

이온 주입의 다른 문제

  1. 이온 주입 후 어닐링 초기에, 주입으로 생긴 격자간 실리콘의 영향으로 붕소 등의 확산이 일시적으로 빨라지는 현상을 무엇이라 하는가?
  2. 소스·드레인 형성처럼 큰 도즈량을 짧은 시간에 주입하기 위해 사용되는 이온 주입 장치는 무엇인가?
  3. 같은 어닐링 조건에서 이온 주입의 도즈량을 늘리면 주입층의 면저항은 일반적으로 어떻게 되는가?
  4. 이온 주입의 마스크로 포토레지스트를 사용할 때 주의해야 할 점은 무엇인가?
  5. 웨이퍼를 도펀트를 포함한 플라즈마에 직접 노출시켜 저에너지 이온을 주입하는 플라즈마 도핑의 이점으로 올바른 것은 무엇인가?

이 분야의 비교