배선 공정

트랜지스터(FEOL 측)와 다층 배선을 잇는 콘택트나 국소적인 배선 부분을 가리켜 사용하는 말은?

  1. A다이싱
  2. BMOL(미들 오브 라인)
  3. C패키지
정답과 해설 보기

정답: B. MOL(미들 오브 라인)

트랜지스터를 만드는 부분(FEOL)과 다층 배선을 만드는 부분(BEOL)의 중간에 있는, 소스·드레인이나 게이트로의 콘택트, 국소적인 접속 등의 공정과 구조를 MOL(Middle of Line)이라고 합니다. 직경 십수 nm인 콘택트의 저항이 미세화로 급증하여 트랜지스터 성능을 크게 좌우하게 되었기 때문에, 코발트와 루테늄의 도입, 게이트 위 콘택트 등의 개선이 진행되고 있습니다.

  • A. 다이싱은 웨이퍼에서 칩을 잘라내는 공정입니다.
  • B. 맞습니다. 트랜지스터와 배선 사이의 부분입니다.
  • C. 패키지는 완성된 칩을 봉지하는 부분입니다.
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

배선 공정의 다른 문제

  1. 미세화가 진행된 다층 배선에서 비아의 저항이 문제가 되어 온 주된 이유로 올바른 것은?
  2. 어떤 배선의 용량에 대해 올바른 설명은?
  3. 배선의 폭을 바꾸지 않고 두께(높이)를 크게 했을 때의 영향으로 올바른 것은?
  4. 기계적으로 약한 Low-k막을 사용한 칩에서 패키지에 실장할 때의 응력으로 막이 깨지거나 벗겨지는 문제를 무엇이라고 하는가?
  5. Cu 배선 윗면에 절연막 측으로의 확산 방지와 식각 정지를 겸하여 붙이는 막으로 일반적인 것은?