첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

핀이나 나노시트의 두께를 수 nm까지 얇게 했을 때 생기는 양자 가둠 효과의 영향으로 올바른 것은?

  1. A실효 밴드갭이 커지고 문턱 전압이 변화한다(두께의 편차가 문턱 전압의 편차가 된다)
  2. B전자의 전하가 늘어난다
  3. C실리콘이 금속이 된다
정답과 해설 보기

정답: A. 실효 밴드갭이 커지고 문턱 전압이 변화한다(두께의 편차가 문턱 전압의 편차가 된다)

채널의 두께가 수 nm가 되면 전자의 에너지가 이산적인 준위로 양자화되고, 가장 낮은 준위가 전도대 바닥보다 들려 올라가 실효 밴드갭이 커집니다. 들려 올라가는 양은 두께의 제곱에 반비례하므로, 두께 5 nm 전후에서는 단 1원자층(약 0.3 nm)의 차이로도 문턱 전압이 수십 mV 변하기도 합니다. 그래서 핀이나 나노시트 두께의 정밀한 제어가 중요합니다.

  • A. 맞습니다. 실효 밴드갭이 커져 문턱 전압이 변합니다.
  • B. 전자 1개의 전하는 변하지 않습니다.
  • C. 실리콘이 금속이 되는 것은 아닙니다.
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