에피택셜 성장
300 mm 웨이퍼의 실리콘 에피택셜 성장에서 주류가 된 반응로 형식은?
- A웨이퍼를 한 장씩 처리하는 매엽식 반응로
- B액체에 담그는 딥식
- C수백 장을 한꺼번에 처리하는 배치식 확산로
정답과 해설 보기
정답: A. 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 매엽식 반응로
300 mm 웨이퍼의 에피택셜 성장에서는 웨이퍼를 한 장씩 석영 창 너머의 할로겐 램프로 급속 가열하고 가스 흐름과 온도를 정밀하게 제어하는 매엽식 반응로가 주류입니다. 웨이퍼를 회전시켜 균일성을 높이고 막 두께와 저항률의 편차를 ±1~2% 정도로 억제합니다. 조건 조정도 쉽고 가열·냉각이 빨라 열 예산도 작게 할 수 있습니다. 대표적인 제조사는 미국의 Applied Materials나 ASM 등입니다.
- A. 맞습니다. 매엽식 반응로가 주류입니다.
- B. 액체에 담그는 방식은 액상 성장이며, 실리콘 LSI용 에피에는 사용하지 않습니다.
- C. 배치식 로는 산화나 확산 등에서 사용되지만, 300 mm 에피에서는 매엽식이 주류입니다.