Mémoires émergentes
Quelle est la définition du taux de magnétorésistance tunnel (taux TMR) d'une MTJ ?
- ALa différence entre les résistances à aimantations antiparallèles et parallèles, divisée par la résistance à aimantations parallèles
- BLe rapport entre l'épaisseur de la couche isolante et celle des couches magnétiques
- CLe courant maximal pouvant traverser la MTJ
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Réponse : A. La différence entre les résistances à aimantations antiparallèles et parallèles, divisée par la résistance à aimantations parallèles
Le taux TMR vaut (R antiparallèle − R parallèle)/R parallèle et exprime l'ampleur de la différence de résistance entre les deux états. Par exemple, avec R parallèle = 2 kΩ et R antiparallèle = 5 kΩ, le taux TMR est de 150 %. Plus il est élevé, plus 0 et 1 se distinguent facilement et plus la lecture peut être rapide. Des valeurs dépassant 600 % à température ambiante ont été rapportées avec une barrière MgO, mais les MRAM produites en volume se situent autour de 100 à 200 %, compromis avec la petite taille des éléments et la tenue thermique.