Mémoire dont les éléments de stockage sont placés aux intersections de lignes croisées. Très dense, mais elle requiert un sélecteur en série avec chaque élément pour éviter les courants parasites vers les cellules non sélectionnées.
Nom japonais: クロスポイント型メモリ
« Mémoire crosspoint » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Mémoires émergentes.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : C. Un sélecteur (élément de sélection)
La structure crosspoint place l'élément de mémorisation directement à chaque intersection des lignes, sans transistor, ce qui permet une surface de cellule minimale de 4F² et l'empilement de couches. Cependant, le courant de fuite (sneak current) traversant les cellules non sélectionnées perturbe la lecture ; on place donc en série un sélecteur qui ne laisse presque pas passer de courant en dessous d'une certaine tension. Le sélecteur doit présenter une caractéristique extrêmement non linéaire, avec un fort courant passant et un faible courant bloqué.
RIE (gravure ionique réactive) 3D XPoint Calcul en mémoire (in-memory computing) Chalcogénure FeFET (transistor ferroélectrique) FeRAM (mémoire ferroélectrique) Formage (forming) Jonction tunnel magnétique (MTJ) MRAM PCM (mémoire à changement de phase)