Transistor dont l'isolant de grille est ferroélectrique. La tension de seuil dépend du sens de la polarisation, ce qui permet une mémorisation non volatile avec un seul transistor et une lecture non destructive.
Nom japonais: FeFET(強誘電体トランジスタ)
« FeFET (transistor ferroélectrique) » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Mémoires émergentes.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : A. Les matériaux à base d'oxyde d'hafnium (HfO2)
L'oxyde d'hafnium, utilisé en CMOS comme diélectrique de grille high-k, s'est révélé vers 2011 ferroélectrique même à une épaisseur d'environ 10 nm lorsqu'il est dopé au Si ou au Zr et amené dans une phase cristalline particulière (orthorhombique). Alors que le PZT traditionnel contient du plomb, voit ses propriétés se dégrader en couche mince et s'intègre difficilement au CMOS, les matériaux à base de HfO2 peuvent être déposés de façon mince et uniforme par ALD, ce qui laisse espérer l'intégration de FeRAM et de FeFET avec la logique avancée.
Réponse : A. La tension de seuil varie selon l'orientation de la polarisation, ce qui permet une mémorisation non volatile avec un seul transistor et une lecture non destructive
Dans un FeFET, l'orientation de la polarisation du ferroélectrique de grille modifie la charge induite dans le canal et décale la tension de seuil. Un seul transistor suffit à mémoriser (1T), et la lecture, qui détecte si un courant circule, ne retourne pas la polarisation et est donc non destructive. L'écriture se fait par la seule tension de grille, avec une faible consommation. La découverte des ferroélectriques à base de HfO2 a ravivé l'intérêt pour cette technologie, dont l'amélioration de l'endurance reste un enjeu.
Alors que le PZT traditionnel contient du plomb, voit ses propriétés se dégrader en couche mince et s'intègre difficilement au CMOS, les matériaux à base de HfO2 peuvent être déposés de façon mince et uniforme par ALD, ce qui laisse espérer l'intégration de FeRAM et de FeFET avec la logique avancée.
Quel matériau ferroélectrique compatible avec les procédés …Dans un FeFET, l'orientation de la polarisation du ferroélectrique de grille modifie la charge induite dans le canal et décale la tension de seuil.
Quelle est la caractéristique d'un FeFET utilisant un ferro…CMOS FeRAM (mémoire ferroélectrique) ALD Tension de seuil 3D XPoint Calcul en mémoire (in-memory computing) Chalcogénure Formage (forming) Jonction tunnel magnétique (MTJ) Mémoire crosspoint