Composé contenant des éléments du groupe 16 comme le soufre, le sélénium ou le tellure. Utilisé comme matériau d'enregistrement des mémoires à changement de phase (GST, etc.) et dans les sélecteurs (OTS) qui deviennent brusquement conducteurs au-delà d'une certaine tension.
Nom japonais: カルコゲナイド
« Chalcogénure » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Mémoires émergentes.
Domaine: Mémoires émergentes
Réponse : A. OTS (Ovonic Threshold Switch)
L'OTS (Ovonic Threshold Switch) est un élément en matériau chalcogénure qui passe brusquement en faible résistance en quelques ns au-delà de la tension de seuil et revient à forte résistance lorsque le courant diminue. Contrairement à la PCM, il ne cristallise pas et ne mémorise aucun état, ce qui permet de l'utiliser comme sélecteur. Sa non-linéarité, avec un faible courant bloqué et un fort courant passant, limite les courants parasites vers les cellules non sélectionnées et a rendu possibles les mémoires crosspoint empilées.
L'OTS (Ovonic Threshold Switch) est un élément en matériau chalcogénure qui passe brusquement en faible résistance en quelques ns au-delà de la tension de seuil et revient à forte résistance lorsque le courant diminue.
Quel élément en matériau chalcogénure, devenant brusquement…La PCM chauffe puis refroidit rapidement un matériau chalcogénure tel que le GeSbTe par effet Joule du courant, afin de basculer entre un état cristallin de faible résistance et un état amorphe de forte résistance.
Quel est le principe de mémorisation de la mémoire à change…Le GST est un matériau chalcogénure composé de germanium (Ge), d'antimoine (Sb) et de tellure (Te), dont la composition type est Ge2Sb2Te5.
Qu'est-ce que le GST, matériau d'enregistrement typique des…PCM (mémoire à changement de phase) RIE (gravure ionique réactive) Tension de seuil 3D XPoint Calcul en mémoire (in-memory computing) FeFET (transistor ferroélectrique) FeRAM (mémoire ferroélectrique) Formage (forming) Jonction tunnel magnétique (MTJ) Mémoire crosspoint