Semi-conducteur oxyde dont la bande interdite, environ 4,5 à 4,9 eV, dépasse celle de SiC et GaN. Les cristaux pouvant être tirés à partir du bain fondu, il est étudié comme matériau de puissance de nouvelle génération.
Nom japonais: Ga2O3(酸化ガリウム)
« Ga2O3 (oxyde de gallium) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Semi-conducteurs de puissance, Semi-conducteurs composés.
Domaine: Semi-conducteurs composés
Réponse : C. Sa bande interdite (environ 4,5 à 4,9 eV) est encore plus grande que celles du SiC et du GaN
Le Ga2O3 possède une bande interdite d'environ 4,5 à 4,9 eV, supérieure à celles du SiC et du GaN, et un champ de claquage estimé à environ 8 MV/cm, ce qui laisse espérer une tenue en tension encore plus élevée et des pertes plus faibles. Contrairement au SiC et au GaN, il peut être cristallisé à partir d'un bain fondu, ce qui pourrait permettre des substrats de grand diamètre bon marché ; des entreprises et instituts japonais mènent son développement. Les difficultés sont l'obtention du type p et sa faible conductivité thermique.
Le Ga2O3 possède une bande interdite d'environ 4,5 à 4,9 eV, supérieure à celles du SiC et du GaN, et un champ de claquage estimé à environ 8 MV/cm, ce qui laisse espérer une tenue en tension encore plus élevée et des pertes plus faibles.
Quelle est une caractéristique de l'oxyde de gallium (Ga2O3…Le Ga2O3 (environ 4,8 eV) et le diamant (environ 5,5 eV), encore plus larges, sont appelés semi-conducteurs à ultra-large bande interdite.
Comment désigne-t-on collectivement les semi-conducteurs do…C'est pourquoi le Ga2O3 et le diamant, à Ec encore plus élevé, sont attendus comme matériaux de nouvelle génération.
Dans le « facteur de mérite de Baliga », qui compare les pe…SiC (carbure de silicium) GaN (nitrure de gallium) Bande interdite (bandgap) Mobilité Chute d'efficacité (efficiency droop) GaAs (arséniure de gallium) Gap direct Gaz bidimensionnel d'électrons (2DEG) HEMT (transistor à haute mobilité électronique) InP (phosphure d'indium)