Was ist Ga2O3 (Galliumoxid)?

Oxidhalbleiter mit einer Bandlücke von etwa 4,5-4,9 eV, noch größer als bei SiC oder GaN. Die Kristalle lassen sich aus der Schmelze züchten; er wird als Material für Leistungshalbleiter der nächsten Generation erforscht.

Japanische Bezeichnung: Ga2O3(酸化ガリウム)

Fachgebiet: Verbindungshalbleiter