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Plaquettes de silicium

Quelle est la cause du « glissement » (slip) qui pose problème lors du traitement thermique à haute température des wafers de grand diamètre ?

  1. ALes contraintes dues aux écarts de température dans le wafer ou à son propre poids font glisser les plans cristallins et introduisent des dislocations
  2. BDes corps étrangers adhèrent à la surface du wafer
  3. CLa concentration de dopant diminue
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Réponse : A. Les contraintes dues aux écarts de température dans le wafer ou à son propre poids font glisser les plans cristallins et introduisent des dislocations

À haute température, la résistance mécanique du silicium chute fortement ; les écarts de température dans le wafer dus à un chauffage ou un refroidissement rapide, ou les contraintes dues au poids propre sur les points d'appui, font glisser les plans cristallins (plans {111}) et génèrent des dislocations (slip). Elles apparaissent souvent près des pions de support en périphérie et provoquent fuites, baisse du rendement et erreurs de superposition en lithographie. On les prévient en limitant les vitesses de montée et de descente en température et en optimisant le mode et la forme des supports.

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