SRAM et mémoire flash
Quelle description de la marge de bruit statique (SNM), qui exprime la stabilité d'une cellule SRAM, est correcte ?
- AL'amplitude de la tension de bruit que la cellule peut supporter sans inverser son état mémorisé, déterminée à partir de la courbe papillon
- BLe courant consommé par la cellule
- CLe temps de lecture de la cellule
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Réponse : A. L'amplitude de la tension de bruit que la cellule peut supporter sans inverser son état mémorisé, déterminée à partir de la courbe papillon
La SNM est représentée par le côté du plus grand carré inscrit dans la courbe papillon, obtenue en superposant les caractéristiques d'entrée-sortie des deux inverseurs de la cellule ; plus elle est grande, plus la cellule résiste au bruit. Elle est plus faible en lecture (SNM de lecture), lorsque le transistor d'accès est passant, qu'en maintien (SNM de maintien), et c'est elle qui limite la stabilité. Elle diminue lorsque la tension d'alimentation baisse ou que la dispersion augmente ; elle sert d'indicateur pour la conception basse tension.