Welche Aussage zum statischen Rauschabstand (SNM) als Maß für die Stabilität von SRAM-Zellen ist richtig?

Antwort: A. Die Größe der Rauschspannung, die die Zelle aushält, ohne den gehaltenen Zustand umzukehren; sie wird aus der Butterfly-Kurve bestimmt

Der SNM wird als Seitenlänge des größten Quadrats ausgedrückt, das in die Butterfly-Kurve passt, die durch Überlagerung der Eingangs-Ausgangs-Kennlinien der beiden Inverter der Zelle entsteht; je größer, desto rauschfester die Zelle. Beim Lesen, wenn der Zugriffstransistor leitet (Read-SNM), ist er kleiner als im Haltezustand (Hold-SNM), und dies ist die Einschränkung der Stabilität. Er sinkt bei niedrigerer Versorgungsspannung oder größerer Streuung und wird als Kenngröße für den Niederspannungsentwurf verwendet.