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SRAM et mémoire flash

En flash NAND, que faut-il faire pour écrire de nouvelles données dans une page déjà écrite ?

  1. AEffacer d'abord le bloc contenant cette page, puis écrire
  2. BÉcraser directement
  3. CÉcraser en abaissant la tension d'écriture
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Réponse : A. Effacer d'abord le bloc contenant cette page, puis écrire

La NAND ne peut modifier la tension de seuil par écriture que dans le sens de la hausse (1→0) ; revenir en arrière exige un effacement. L'effacement ne pouvant se faire que par bloc, plus grand qu'une page, l'écrasement est impossible. Le contrôleur du SSD écrit les nouvelles données dans une autre page libre, met à jour la table de correspondance des adresses logiques (FTL) pour invalider l'ancienne page, et efface ensuite en bloc. Ce mécanisme est la base de la gestion des performances et de la durée de vie des SSD.

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