SRAM und Flash-Speicher

Welche Aufgabe haben die Select-Transistoren an beiden Enden der in Reihe geschalteten Speicherzellen bei NAND-Flash?

  1. ADas Signal der Zellen zu verstärken
  2. BDen zu lesenden oder zu beschreibenden String (Reihe von in Reihe geschalteten Zellen) mit Bitleitung und Sourceleitung zu verbinden oder davon zu trennen
  3. CDaten zu löschen
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Antwort: B. Den zu lesenden oder zu beschreibenden String (Reihe von in Reihe geschalteten Zellen) mit Bitleitung und Sourceleitung zu verbinden oder davon zu trennen

Bei NAND sitzen an beiden Enden eines Strings aus einigen zehn bis einigen hundert in Reihe geschalteten Zellen Select-Transistoren, und auf der Bitleitungsseite (SSL/Drain-Seite) und der Sourceleitungsseite (GSL) wird nur der angesprochene String angeschlossen. Beim Schreiben werden nicht ausgewählte Strings getrennt, sodass der Kanal schwebt, und durch kapazitive Kopplung mit dem Gate wird das Kanalpotenzial automatisch angehoben (Self-Boosting), wodurch ein versehentliches Beschreiben verhindert wird.

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