SRAM und Flash-Speicher

Welches Material ist für die Schicht, die bei den in 3D-NAND häufig verwendeten Ladungsfallenzellen die Ladung speichert, üblich?

  1. AKupfer
  2. BSiliziumnitrid (SiN)
  3. CAluminium
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Antwort: B. Siliziumnitrid (SiN)

Bei Ladungsfallenzellen werden Elektronen statt in einem leitenden Floating Gate in Haftstellen (Traps) einer isolierenden Siliziumnitridschicht gespeichert. Da die Ladung in der Schicht lokalisiert und unbeweglich ist, entweicht auch bei einem Defekt in einem Teil des Isolators nicht die gesamte Ladung, und die Interferenz mit Nachbarzellen ist gering. Der Schichtstapel SiO2/SiN/SiO2 (ONO) lässt sich durchgehend an der Lochwand abscheiden, und die Struktur passt gut zu vertikal gestapeltem 3D-NAND.

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