SRAM und Flash-Speicher

Welche Aussage zu den Merkmalen von NAND-Flash im Vergleich zu NOR-Flash ist richtig?

  1. ADer wahlfreie Zugriff ist schnell, und er eignet sich zur direkten Ausführung von Programmcode
  2. BDa die Speicherzellen in Reihe geschaltet sind, lässt sich leicht hoch integrieren, und er eignet sich für Massenspeicher
  3. CEr ist ein flüchtiger Speicher, dessen Daten beim Abschalten der Versorgung verloren gehen
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Antwort: B. Da die Speicherzellen in Reihe geschaltet sind, lässt sich leicht hoch integrieren, und er eignet sich für Massenspeicher

Beim NAND-Typ sind einige zehn Speicherzellen in Reihe geschaltet und der Kontakt pro Zelle entfällt; die Fläche pro Bit ist daher klein, er eignet sich für große Kapazitäten und wird in SSDs und Speicherkarten verwendet. Dafür ist das Lesen langsamer, da es durch die Zellen in Reihe läuft, und der Zugriff erfolgt seitenweise. Beim NOR-Typ sind die Zellen parallel an die Bitleitung angeschlossen, sodass wahlfreies Lesen schnell ist und er sich zur direkten Ausführung von Code eignet. Beide sind nichtflüchtig.

Zellanordnung im NAND-Flash (String) Auswahl WL0 WL1 WL2 WL3 Auswahl Zur Bitleitung Zur Source-Leitung Speicherzellen in Reihe geschaltet NAND: weniger Kontakte, hohe Integrationsdichte. Lesen seitenweise NOR: Zellen parallel geschaltet, einzeln direkt lesbar, aber größerer Flächenbedarf
Zellanordnung im NAND-Flash (String) · Im Diagrammverzeichnis ansehen
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